Vishay Intertechnologyвыпускает два новых 100 В N-канальных TrenchFET® МОП-транзистора с низким сопротивлением открытого канала в корпусе SO-8 и PowerPAK® SO-8
Компания Vishay представляет новые100 В N-канальные МОП- транзисторы, выполненные по новой технологии ThunderFET®, которая позволяет значительно снизить сопротивление открытого канала RDS(On). SiR870DP и Si4190DY предлагают самые низкие значения сопротивления открытого канала в отрасли для напряжения 100 В. Приборы найдут широкое применение в DC/DC преобразователях, синхронных преобразователях.
Наименование | SiR870DP | Si4190DY |
Тип корпуса | PowerPAK | SO-8 |
Напряжение пробоя сток –исток (VDS) ,В | 100 | 100 |
Напряжение затвор- исток (VGS),В | ± 20 | ± 20 |
Сопротивление открытого канала RDS(On)при 10 В, мОм | 6 | 8.8 |
Сопротивление открытого канала RDS(On)при 7,5 В, мОм | 6.4 | |
Сопротивление открытого канала RDS(On)при 10 В, мОм 4,5 | 7.8 | 12 |
Комментариев нет:
Отправить комментарий