Новое семейство 25 В и 30 В HEXFET® MOSFET в корпусе PQFN 3×3 мм

International Rectifier,мировой лидер в технологии управления питанием, представляет семейство 25 В и 30 В устройств, выполненных по кремниевой технологии HEXFET® MOSFET в корпусе PQFN 3×3,что обеспечивает сокращение площади печатного узла.

Использование корпуса PQFN 3×3является надежным и эффективным решением для DC-DC преобразователей в сфере телекоммуникаций, Netcom, компьютеров, ноутбуков.

Производительность транзисторов в корпусе PQFN 3×3мм выше на 60 процентов, значительно уменьшается сопротивление открытого канала (R_{DS (ON)}).В дополнение к низкому R_{DS (ON)},новый корпус PQFN предлагает улучшенную теплопроводность, а также повышенную надежность и соответствует уровню чувствительности к влаге 1 (MSL1).

ТАБЛИЦА

Источник