среда, 13 октября 2010 г.

Силовые MOSFET 40-100 В с низким RDS<sub>(On)</sub>для автомобильных применений

International Rectifierобъявил о расширении своего семейства мощных транзисторов автомобильного применения c низким сопротивлением открытого канала (RDS(On)),предназначенных в том числе для бортового питания и систем управления двигателями внутреннего сгорания, а также для гибридных платформ.




Новые устройства квалифицированны в соответствии с AEC-Q101 стандартом, соответствует директиве RoHS.


Наименование
Тип корпуса
Напряжение пробоя сток-исток (V(BR) DSS),В
Макс. сопротивление открытого канала при 10 В (RDS( On)),мОм
Макс. ток стока при 25 °С (Id),А
Заряд затвора при 10 В (Qg),нКл
DPak
40
9.0
77
30
D2Pak-7P
55
2.6
240
130
D2Pak
55
3.3
210
190
TO-220
55
3.3
210
190
TO-262
55
3.3
210
190
D2Pak
55
4.9
150
120
TO-262
55
4.9
150
120
D2Pak
55
6.5
110
76
TO-220
55
6.5
110
76
D2Pak
55
13.9
51
29
TO-220
55
13.9
51
29
DPak
55
14.5
59
29
DPak
55
24.5
30
18
D2Pak-7P
75
3.8
180
170
TO-220
75
4.5
170
180
TO-247
75
4.5
170
180
TO-220
75
4.5
170
180
DPak
75
16
53
50
DPak
75
22
45
34
D2Pak
100
7.0
130
170
TO-262
100
7.0
130
170
D2Pak
100
14.0
73
90
TO-220
100
14.0
73
90
D2Pak
100
26.5
36
42
TO-220
100
26.5
36
42


Источник

Комментариев нет:

Отправить комментарий